بهبود عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني

1392/4/29

متخصصان الکترونيک دانشگاه سمنان، توانستند مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله‌هاي کربني را كنترل نموده و قابليت اطمينان اين ادوات را افزايش دهند. با پيشرفت فناوري نانو و استفاده از نانولوله‌هاي کربني به جاي ادوات سيليسيمي در صنعت الکترونيک، به خصوص در ترانزيستورها، سرعت سوئيچينگ کمتر شده و توان مصرفي در مدارات مجتمع افزايش يافته است. بررسي اين ادوات جديد براي بهبود عملکرد آنها بسيار ضروري به نظر مي‌رسد. براي افزايش بازدهي و مقياس‌پذيري ترانزيستورهاي نانولوله‌ کربني، بايد در جستجوي روش‌هايي بود تا قابليت اطمينان قطعات آنها بهبود يابد. 
 
دکتر علي‌اصغر اروجي، پژوهشگري است که تحقيقاتي براي افزايش قابليت اطمينان ترانزيستورهاي نانولوله‌ کربني انجام داده و مقياس‌پذيري ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله‌هاي کربني را با گيت دوماده‌اي، بررسي کرده است.
 
وي در گفتگو با بخش خبري سايت ستاد ويژه توسعه فناوري نانو گفت: «گيت‌هاي الکترونيکي از دو فلز تشکيل شده‌اند، نتايج بررسي‌ها و تحقيقات نشان مي‌دهد كه فلز گيت در نزديکي سورس، داراي تابع کار بزرگتر از تابع کار فلز گيت در نزديکي درين است. اين تفاوت تابع کار فلزهاي گيت، باعث کاهش شديد جريان نشتي، بهبود نوسانات زير آستانه و افزايش بهره ولتاژ و نسبت جريان روشن به خاموش مي‌شود. همچنين توانستيم مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله‌هاي کربني را به وسيله تغيير طول و ميزان آلائيدگي ناحيه آلائيده کنترل كنيم و با کاهش طول کانال، ولتاژ آستانه را افزايش دهيم».
 
گفتني است؛ ترانزيستورهايي با اين ويژگي‌ها، مي‌توانند در صنايع هوافضا استفاده شوند.
 
جزئيات اين پژوهش که با همکاري زهرا عارفي‌نيا انجام شده، در مجلاتPhysica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures (جلد 41، صفحات 557 – 552، سال 2009) و Japanese Journal of Applied Physics (جلد 48، صفحات (7)024501، سال 2009) منتشر شده است.
تگ ها

Warning: Unknown: write failed: Disk quota exceeded (122) in Unknown on line 0

Warning: Unknown: Failed to write session data (files). Please verify that the current setting of session.save_path is correct (/var/cpanel/php/sessions/ea-php54) in Unknown on line 0